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IPI80N08S2-07 /MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS
IPI80N08S2-07的规格信息
IPI80N08S2-07的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:7.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:26 ns

零件号别名:IPI80N08S207AKSA1 IPI8N8S27XK SP000219043

单位重量:2.387 g

供应商IPI80N08S2-07
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IPI80N08S2-07OptiMOS® Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO161.21 Kbytes共8页IPI80N08S2-07的PDF下载地址IPD230N06NG,IPB048N06LG,IPD350N06LG,IPB050N06NG,IPD400N06NG,IPB065N06LG,IPD640N06LG,IPB070N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06NG
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