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IPI80N06S3L-06 /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPI80N06S3L-06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 56A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):196nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9417pF @ 25V

功率 - 最大值:136W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商器件封装:PG-TO262-3

其它名称:IPI80N06S3L-06-NDIPI80N06S3L-06INIPI80N06S3L06XIPI80N06S3L06XKSP000088002

供应商IPI80N06S3L-06
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IPI80N06S3L-06OptiMOS®-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO154.98 Kbytes共8页IPI80N06S3L-06的PDF下载地址IPP25N06S3-25,IPP25N06S3L-22,IPP77N06S3-09,IPP80N06S3L-08,IPP100N06S3-03,IPP100N06S3L-03,BSO104N03S,IPB14N03LA,IPS13N03LA,SPD30N03S2L-20
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