包装管件
系列汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
零件状态停產
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8.5 毫欧 @ 40A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）110nC @ 10V
Vgs（最大值）±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）8180pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）107W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO262-3-1
封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA