封装/外壳：PG-TO262-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：650V

Id-连续漏极电流：11A

Rds On-漏源导通电阻：299mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：96W

通道模式：Enhancement

高度：9.45mm

长度：10.2mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.5mm

下降时间：5ns

上升时间：5ns

典型关闭延迟时间：40ns

典型接通延迟时间：10ns

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：299.0mΩ

IDpuls max：34.0A

VDS max：600.0V

ID max：11.0 A

RthJC max：1.3 K/W

QG (typ @10V)：22.0 nC

Package：I2PAK (TO-262)

Budgetary Price €€/1k：1.13

Ptot max：96.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：THT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs