FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 520µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1420pF @ 100V

功率耗散（最大值）：114W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 7.8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO262-3

封装/外壳：PG-TO262-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：13 A

最大漏源电压：550 V

最大漏源电阻值：250 m0hms

最大栅阈值电压：3.5V

最小栅阈值电压：2.5V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：I2PAK (TO-262)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：33 W

高度：9.25mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：10 x 4.4 x 9.25mm

宽度：4.4mm

系列：CoolMOS CP

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：10 V 时，27 常闭

典型输入电容值@Vds：1420 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：80 ns

典型接通延迟时间：35 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：10mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs