RoHS：符合 RoHS

104 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

封装/外壳：PG-TO262-3

系列：IPI50R299

品牌：InFineon Technologies

下降时间：12 nS

最低工作温度：- 55 C

上升时间：14 nS

标准包装数量：500

晶体管极性：N-Channel

公司名称：CoolMOS

标准断开延迟时间：80 nS

Vds - 漏-源击穿电压：550 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：12 A

Rds On - 漏-源电阻：299 m0hms

配置：Single

23 nC：Qg - 闸极充电

最高工作温度：+ 150 C

通道数量：1Channel

Vds-漏源极击穿电压：500V

Id-连续漏极电流：12A

Rds On-漏源导通电阻：270mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：31nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

Pd-功率耗散：104W

通道模式：Enhancement

封装：Tube

高度：9.45mm

长度：10.2mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.5mm

典型关闭延迟时间：80ns

典型接通延迟时间：35ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs