IPD80R1K4CE的供应商，IPD80R1K4CE规格参数，IPD80R1K4CE的PDF资料

IPD80R1K4CE /

IPD80R1K4CE的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：800V

Id-连续漏极电流：3.9A

Rds On-漏源导通电阻：1.2Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：23nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：63W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：12ns

上升时间：15ns

典型关闭延迟时间：72ns

典型接通延迟时间：25ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1400.0mΩ

IDpuls max：12.0A

VDS max：800.0V

ID max：3.9 A

RthJC max：2.0 K/W

QG (typ @10V)：23.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Budgetary Price €/1k：0.58

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：63.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.1 V 3.9 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

IPD80R1K4CE

IPD80R1K4CE的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPD80R1K4CE	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳亿恒升电子有限公司	IPD80R1K4CEATMA1	都会100A座24A	0755-29992989，0755-23945396 18938644687，15013565437	苏先生，李小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPD80R1K4CEATMA1	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPD80R1K4CE	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPD80R1K4CE	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	IPD80R1K4CE	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD80R1K4CEATMA1	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IPD80R1K4CEATMA1	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPD80R1K4CE	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPD80R1K4CE	华强北现代之窗A 9D	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPD80R1K4CE	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	IPD80R1K4CE	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价

IPD80R1K4CE及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
IPD80R1K4CE	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2437.24 Kbytes	共15页	无
IPD80R1K4CEATMA1	MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15页	无
IPD80R1K4CEATMA1	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15页	无
IPD80R1K4CEATMA1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：3.9V @ 240uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)	2.38 Mbytes	共15页	无
IPD80R1K4CEBTMA1	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15页	无

IPD80R1K4CE的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	IPD80R1K4CEBTMA1	Infineon	FET - 单 * 分立半导体产品	1+:￥12.73 10+:￥11.27 25+:￥10.1801 100+:￥8.91 250+:￥7.81 500+:￥6.93 1000+:￥5.481+:￥9.77 10+:￥7.88 100+:￥6.0299 500+:￥5.3499 1000+:￥5.23 2500+:￥4.81 10000+:￥4.68 25000+:￥4.59 50000+:￥4.621+:￥4.75
Digi-Key 得捷电子	IPD80R1K4CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3	$1.31000
Digi-Key 得捷电子	IPD80R1K4CEBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3	Discontinued at Digi-Key
Digi-Key 得捷电子	IPD80R1K4CEBTMA1	Infineon	FET - 单 * 分立半导体产品	1+:￥12.73 10+:￥11.27 25+:￥10.1801 100+:￥8.91 250+:￥7.81 500+:￥6.93 1000+:￥5.48
Mouser 贸泽电子	IPD80R1K4CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2	1:¥8.9948 10:¥7.684 100:¥5.8986 500:¥5.2206 1,000:¥4.1132 2,500:¥4.1132
Mouser 贸泽电子	IPD80R1K4CEBTMA1	Infineon	FET - 单 * 分立半导体产品	1+:￥12.73 10+:￥11.27 25+:￥10.1801 100+:￥8.91 250+:￥7.81 500+:￥6.93 1000+:￥5.481+:￥9.77 10+:￥7.88 100+:￥6.0299 500+:￥5.3499 1000+:￥5.23 2500+:￥4.81 10000+:￥4.68 25000+:￥4.59 50000+:￥4.62
立创商城	IPD80R1K4CE	Infineon(英飞凌)	预售晶体管	1+:￥8.64 200+:￥3.35 500+:￥3.23 1000+:￥3.17
立创商城	IPD80R1K4CEATMA1	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：3.9V @ 240uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.22 10+:￥7.03 30+:￥6.9 100+:￥6.77

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