封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：800V

连续漏极电流ID：5.7A

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：TO-252-3

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：800V

Id-连续漏极电流：5.7A

Rds On-漏源导通电阻：800mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：31nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：8ns

上升时间：15ns

典型关闭延迟时间：72ns

典型接通延迟时间：25ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：950.0mΩ

IDpuls max：18.0A

VDS max：800.0V

ID max：5.7 A

RthJC max：1.5 K/W

QG (typ @10V)：31.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.5K/W

QG：31.0 nC

ID (@25°C) max：5.7 A

Budgetary Price €€/1k：0.49

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：83.0W

Ptot max：83.0 W

Polarity：N

IDpuls max：18.0 A

VDS max：800.0 V

Operating Temperature min：-55.0 °C

RDS (on) (@10V) max：950.0 mΩ

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.1 V 3.9 V

Mounting：SMT

RthJC max：1.5K/W

RthJA max：62.0 K/W

Special Features：price/performance

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

RDS (on) max：950.0 mΩ

无铅情况/RoHs：否