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IPD80P03P4L-07 /MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
IPD80P03P4L-07的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:5 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:80 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:88 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:IPD80P03P4L07ATMA1 IPD8P3P4L7XT SP000396296

单位重量:4 g

供应商IPD80P03P4L-07
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18124040553
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深圳市芯幂科技有限公司IPD80P03P4L-07深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18124047120
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集好芯城IPD80P03P4L-07深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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IPD80P03P4L-07InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V2500+:¥3.171+:¥7.16
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IPD80P03P4L-07Infineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube2,500 : $0.4948
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Digi-Key 得捷电子
IPD80P03P4L-07Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 80A TO252-32,500 : $0.43526
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
IPD80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P21:¥10.0683
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Rochester Electronics
IPD80P03P4L-07Infineon Technologies AGREF: SP000396296500 : $0.51
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IPD80P03P4L-07Infineon Technologies AGMOSFET -30V 6.8mOHM AECQ TO252 RoHSconf15,000 : $0.4525
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