IPD60R1K4C6的供应商，IPD60R1K4C6规格参数，IPD60R1K4C6的PDF资料

IPD60R1K4C6 /

IPD60R1K4C6的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 90µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：9.4nC

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：200pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 1.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：3.2A

Rds On-漏源导通电阻：1.26Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：9.4nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：28.4W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSC6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：20ns

上升时间：7ns

典型关闭延迟时间：40ns

典型接通延迟时间：8ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPD60R1K4C6	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPD60R1K4C6	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPD60R1K4C6	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPD60R1K4C6	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
集好芯城	IPD60R1K4C6	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	IPD60R1K4C6	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPD60R1K4C6ATMA1	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IPD60R1K4C6	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	IPD60R1K4C6	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IPD60R1K4C6	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPD60R1K4C6	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价

IPD60R1K4C6及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
IPD60R1K4C6	Material Content Data Sheet	INFINEON[Infineon Technologies AG]	33.25 Kbytes	共1页	无
IPD60R1K4C6	600V CoolMOS C6 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1320.85 Kbytes	共14页	无
IPD60R1K4C6	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.0 Kbytes	共2页	无
IPD60R1K4C6_15	Material Content Data Sheet	INFINEON[Infineon Technologies AG]	33.25 Kbytes	共1页	无
IPD60R1K4C6ATMA1	MOSFET LOW POWER_LEGACY	Infineon Technologies	1.27 Mbytes	共14页	无
IPD60R1K4C6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3	Infineon Technologies	813.11 Kbytes	共14页	无
IPD60R1K4C6BTMA1	600V CoolMOS C6 Power Transistor IPD60R1K4C6	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1310.04 Kbytes	共14页	无

IPD60R1K4C6的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Am2	IPD60R1K4C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 3.2A	2500+:￥2.5199 5000+:￥2.3499 12500+:￥2.26 25000+:￥2.17 62500+:￥2.14 125000+:￥2.091+:￥5.51 10+:￥4.3 100+:￥2.77 1000+:￥2.58 2500+:￥2.37 10000+:￥2.34 25000+:￥2.25 50000+:￥2.24 100000+:￥2.17991+:￥6.88 10+:￥6 25+:￥5.3170+:￥2.48
Arrow(艾睿)	IPD60R1K4C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 3.2A	2500+:￥2.5199 5000+:￥2.3499 12500+:￥2.26 25000+:￥2.17 62500+:￥2.14 125000+:￥2.091+:￥5.51 10+:￥4.3 100+:￥2.77 1000+:￥2.58 2500+:￥2.37 10000+:￥2.34 25000+:￥2.25 50000+:￥2.24 100000+:￥2.17991+:￥6.88 10+:￥6 25+:￥5.3170+:￥
Chip1Stop	IPD60R1K4C6BTMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R RoHS : Compliant	5 : $0.673333 50 : $0.6125 1,000 : $0.470833
Digi-Key 得捷电子	IPD60R1K4C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 3.2A	2500+:￥2.5199 5000+:￥2.3499 12500+:￥2.26 25000+:￥2.17 62500+:￥2.14 125000+:￥2.09
Digi-Key 得捷电子	IPD60R1K4C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3	$0.97000
Digi-Key 得捷电子	IPD60R1K4C6BTMA1	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3	100 : $0.6655 25 : $0.7636 10 : $0.864 1 : $0.99
element14 e络盟电子	IPD60R1K4C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 3.2A	2500+:￥2.5199 5000+:￥2.3499 12500+:￥2.26 25000+:￥2.17 62500+:￥2.14 125000+:￥2.091+:￥5.51 10+:￥4.3 100+:￥2.77 1000+:￥2.58 2500+:￥2.37 10000+:￥2.34 25000+:￥2.25 50000+:￥2.24 100000+:￥2.17991+:￥6.88 10+:￥6 25+:￥5.3
Future Electronics	IPD60R1K4C6BTMA1	Infineon Technologies AG	N-Channel 600 V 1.4 Ohm CoolMOSTM C6 Power Transistor-PG-TO252-3	2,500 : $0.3444
Mouser 贸泽电子	IPD60R1K4C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 3.2A	2500+:￥2.5199 5000+:￥2.3499 12500+:￥2.26 25000+:￥2.17 62500+:￥2.14 125000+:￥2.091+:￥5.51 10+:￥4.3 100+:￥2.77 1000+:￥2.58 2500+:￥2.37 10000+:￥2.34 25000+:￥2.25 50000+:￥2.24 100000+:￥2.1799
Mouser 贸泽电子	IPD60R1K4C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_LEGACY	1:¥6.6896 10:¥5.5822 100:¥3.6047 1,000:¥2.8815 2,500:¥2.8815
Verical	IPD60R1K4C6BTMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R	$0.4534
Verical	IPD60R1K4C6BTMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R	$0.4467
立创商城	IPD60R1K4C6	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28.4W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.9 10+:￥3.65 30+:￥3.42 100+:￥3.19 500+:￥3.09 1000+:￥3.04

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