封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：500V

连续漏极电流ID：4.3A

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：TO-252-3

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：500V

Id-连续漏极电流：6.6A

Rds On-漏源导通电阻：860mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：10.5nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：53W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：XPD50R950

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：19.5ns

上升时间：4.9ns

典型关闭延迟时间：25ns

典型接通延迟时间：7ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：3

RDS (on) max：950.0mΩ

IDpuls max：12.8A

VDS max：500.0V

ID max：4.3A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：3.7K/W

QG：10.5nC

Budgetary Price €€/1k：0.27

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：34.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

RthJC max：3.7K/W

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：否