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IPD230N06LG / MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
IPD230N06LG的规格信息
IPD230N06LG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:15 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:16 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPD230N06LGXT

供应商IPD230N06LG
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD230N06LG深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPD230N06LG深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
集好芯城IPD230N06LG深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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IPD230N06LGOptiMOS® Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO392.01 Kbytes共9页IPD230N06LG的PDF下载地址IPD350N06LG,IPB048N06LG,IPD400N06NG,IPB050N06NG,IPD640N06LG,IPB065N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06LG,IPP80N04S2-04,IPB070N06NG
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