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IPD20N03L /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPD20N03L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V

功率 - 最大值:60W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

其它名称:IPD20N03LTSP000016259

供应商IPD20N03L
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IPD20N03LInfineon Technologies AG 30 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA90 : $0.405
20 : $0.675
1 : $1.35