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IPD16CN10NG / MOSFET N-Ch 100V 53A DPAK-2
IPD16CN10NG的规格信息
IPD16CN10NG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:53 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPD16CN10NGXT

供应商IPD16CN10NG
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