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IPD135N03LG /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPD135N03LG的规格信息
IPD135N03LG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 15V

功率 - 最大值:31W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

其它名称:IPD135N03LGINTRIPD135N03LGINTR-NDIPD135N03LGXT

供应商IPD135N03LG
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17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD135N03LG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18124040553
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPD135N03LGwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPD135N03LG深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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芯莱德电子(香港)有限公司IPD135N03LG深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD135N03LG深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD135N03LG深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPD135N03LG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司IPD135N03LGATMA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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IPD135N03LGOptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO536.5 Kbytes共12页IPD135N03LG的PDF下载地址
IPD135N03LGOptiMOS3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO1403.08 Kbytes共12页IPD135N03LG的PDF下载地址
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IPD135N03LGATMA1MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.36 Mbytes共12页IPD135N03LGATMA1的PDF下载地址
IPD135N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO989.17 Kbytes共11页IPD135N03LGATMA1的PDF下载地址
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IPD135N03LGATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.37 Mbytes共12页IPD135N03LGATMA1的PDF下载地址
IPD135N03LGBTMA1LV POWER MOSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.35 Mbytes共12页IPD135N03LGBTMA1的PDF下载地址
IPD135N03LGXTMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.35 Mbytes共12页IPD135N03LGXT的PDF下载地址
IPD135N03LG的全球分销商及价格
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Avnet Express
IPD135N03LGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.2112
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Digi-Key 得捷电子
IPD135N03LGInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥1.39
25+:¥1.38
50+:¥1.37
100+:¥1.3499
300+:¥1.3301
500+:¥1.31
1000+:¥1.3
5000+:¥1.29
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3$0.76000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IPD135N03LGBTMA1Infineon TechnologiesLV POWER MOS$0.31955
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IPD135N03LGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Obsolete
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-21:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8984
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics
IPD135N03LGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.22
1,000 : $0.21
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Wuhan P&S
IPD135N03LGInfineon Technologies AG30V,30A,N Channel Power MOSFET1 : $0.19
100 : $0.19
1,000 : $0.19
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立创商城
IPD135N03LGATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.36
10+:¥2.53
30+:¥2.38
100+:¥2.23
500+:¥2.16
1000+:¥2.13