图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:Infineon Technologies
Id-连续漏极电流:67 A
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Rds On-漏源导通电阻:12.4 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK-3
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:21 ns
系列:OptiMOS 2
工厂包装数量:2500
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:32 ns
典型接通延迟时间:17 ns
零件号别名:IPD12CN10NGBUMA1 IPD12CN10NGXT SP000096476