227 W：Pd - 功率消耗

93 nC：Qg - 闸极充电

公司名称：CoolMOS

品牌：InFineon Technologies

安装风格：SMD/SMT

晶体管极性：N-Channel

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度：+ 150 C

标准包装数量：1000

Id - C连续漏极电流：46 A

标准断开延迟时间：82 ns

系列：IPB65R045

通道模式：Enhancement

配置：Single

Rds On - 漏-源电阻：45 m0hms

RoHS：符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Vgs th - 门源门限电压：3 V to 4 V

上升时间：14 ns

下降时间：7 ns

封装/外壳：PG-TO263-3

通道数量：1Channel

Vds-漏源极击穿电压：650V

Id-连续漏极电流：46A

Rds On-漏源导通电阻：40mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：93nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

Pd-功率耗散：227W

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

典型关闭延迟时间：82ns

典型接通延迟时间：20ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs