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IPB64N25S3-20 /MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2
IPB64N25S3-20的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:64 A

Rds On-漏源导通电阻:17.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:89 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:IPB64N25

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S32XT SP000876596

单位重量:4 g

供应商IPB64N25S3-20
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