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IPB110P06LM /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 5.55mA 漏源导通电阻:11mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:P沟道
IPB110P06LM的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 5.55mA

漏源导通电阻11mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300W(Tc)

类型P沟道

供应商IPB110P06LM
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深圳市芯幂科技有限公司IPB110P06LM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPB110P06LMATMA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市佳威星科技有限公司IPB110P06LMATMA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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芯莱德电子(香港)有限公司IPB110P06LM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB110P06LM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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30+:¥15.62
100+:¥15.2
500+:¥15.01
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