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IPB107N20N3G / MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:88 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:10.7 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:65 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

配置:Single

正向跨导 - 最小值:141 S, 71 S

最小工作温度:- 55 C

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

零件号别名:IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GXT SP000676406

供应商IPB107N20N3G
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IPB107N20N3G的全球分销商及价格
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IPB107N20N3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $3.7958
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Digi-Key 得捷电子
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 88A D2PAK$7.08000
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Mouser 贸泽电子
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
1,000:¥26.8149
2,000:查看
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IPB107N20N3GInfineon Technologies AGN/A500 : $3.91
1,000 : $3.71
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IPB107N20N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 270uA 漏源导通电阻:10.7mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道1+:¥34.18
10+:¥29.6
30+:¥28.75
100+:¥27.91
500+:¥27.54
1000+:¥27.07