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IPB108N15N3G / MOSFET N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3G的规格信息
IPB108N15N3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:8 1347 3 A

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Rds On-漏源导通电阻:10.8 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Qg-栅极电荷:41 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:9 ns

正向跨导 - 最小值:94 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:35 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862

供应商IPB108N15N3G
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