制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:275 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:99 S

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:79 ns

典型接通延迟时间:41 ns

零件号别名:G IPB017N06N3 IPB017N06N3GATMA1 SP000434404

单位重量:1.600 g