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IPB019N06L3G / Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB019N06L3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Status:Active

包装:3TO-263

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:60 V

最大连续漏极电流:120 A

RDS -于:1.9@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:35 ns

典型上升时间:79 ns

典型关闭延迟时间:131 ns

典型下降时间:38 ns

工作温度:-55 to 175 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

供应商IPB019N06L3G
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集好芯城IPB019N06L3GATMA1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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100:¥22.826
250:¥21.6734
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