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IPB014N06N /MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:124 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:120 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:47 ns

典型接通延迟时间:22 ns

零件号别名:IPB014N06NATMA1 IPB14N6NXT SP000917408

单位重量:1.600 g

供应商IPB014N06N
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IPB014N06NInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 34A TO263-71 : $4.41
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IPB014N06NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-61:¥27.7415
10:¥23.5153
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IPB014N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥26.17
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250+:¥17.3899
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