系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350pF @ 500V
功率耗散（最大值）：26W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 2.2A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220 整包
封装/外壳：PG-TO220-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs