系列：CoolMOS™

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 360µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1200pF @ 500V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：280 毫欧 @ 7.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3F

封装/外壳：PG-TO220-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs