系列：CoolMOS™

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 700µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：250pF @ 500V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：24W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 1.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO220-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs