FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 340µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：870pF @ 100V

功率耗散（最大值）：31.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：420 毫欧 @ 3.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO220 整包

封装/外壳：PG-TO220-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：8.7 A

最大漏源电压：700 V

最大漏源电阻值：420 m0hms

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：TO-220

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：31.2 W

宽度：4.85mm

最低工作温度：-55 °C

长度：10.65mm

每片芯片元件数目：1

高度：16.15mm

正向二极管电压：0.9V

最高工作温度：+150 °C

尺寸：10.65 x 4.85 x 16.15mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：31.5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：870 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：38 ns

典型接通延迟时间：10 ns

系列：CoolMOS CFD

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs