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IPA65R110CFDXKSA2 /MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPA65R110CFDXKSA2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3FP

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:31.2 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:34.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

系列:CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:68 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:IPA65R110CFD

供应商IPA65R110CFDXKSA2
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPA65R110CFDXKSA2华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
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深圳市芯幂科技有限公司IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司IPA65R110CFDXKSA2深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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IPA65R110CFDXKSA2MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO3.78 Mbytes共20页IPA65R110CFDXKSA2的PDF下载地址
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