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IPA65R190C7 /MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
IPA65R190C7的规格信息
IPA65R190C7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:168 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:16.15 mm

长度:10.65 mm

系列:CoolMOS C7

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.85 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPA65R190C7XKSA1 SP001080140

单位重量:2.565 g

供应商IPA65R190C7
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深圳市坤融电子有限公司IPA65R190C7航都大厦10I0755-23990975
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IPA65R190C7Infineon TechnologiesIPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO$1.26000
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IPA65R190C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9158
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