IKW50N65WR5XKSA1
/Infineon IKW50N65WR5XKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
IKW50N65WR5XKSA1的规格信息
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.8V @ 15V,50A
功率 - 最大值:282W
开关能量:840µJ(开),220µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:230nC
25°C 时 Td(开/关)值:45ns/417ns
测试条件:400V,25A,16 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):110ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:PG-TO247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3
最大连续集电极电流:80 A
最大集电极-发射极电压:650 V
最大栅极发射极电压:±20V
最大功率耗散:282 W
晶体管数:1
封装类型:TO-247
通道类型:N
引脚数目:3
开关速度:60kHz
晶体管配置:单
长度:16.13mm
宽度:5.21mm
高度:21.1mm
尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm
最高工作温度:+175 °C
栅极电容:6140pF
额定能量:1.06mJ
最低工作温度:-40 °C
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
IKW50N65WR5XKSA1
IKW50N65WR5XKSA1的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 | $4.51000 |
 Mouser 贸泽电子 | IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno | 1:¥37.7307 10:¥32.0468 100:¥27.7415 250:¥26.3516 500:¥23.6622
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