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IKW50N65ES5 /IGBT 晶体管 Trenchstop 5 IGBT
IKW50N65ES5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.35 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:274 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:TRENCHSTOP 5 S5

封装:Tube

高度:20.7 mm

长度:15.87 mm

工作温度范围:- 40 C to + 175 C

宽度:5.31 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKW50N65ES5XKSA1 SP001319682

单位重量:38 g

供应商IKW50N65ES5
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