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IKW50N65ES5XKSA1 /IGBT 650V 50A TRENCHSTOP 10-40kHz TO-247
IKW50N65ES5XKSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT 类型:沟道

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,50A

功率 - 最大值:274W

开关能量:1.23mJ(开),550µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:120nC

25°C 时 Td(开/关)值:20ns/127ns

测试条件:400V,50A,8.2 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):70ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:PG-TO247-3

供应商器件封装:PG-TO247-3

最大连续集电极电流:80 A

最大集电极-发射极电压:650 V

最大栅极发射极电压:±20V

最大功率耗散:274 W

晶体管数:1

封装类型:TO-247

通道类型:N

引脚数目:3

开关速度:30kHz

晶体管配置:

长度:16.13mm

宽度:5.21mm

高度:21.1mm

尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm

最高工作温度:+175 °C

栅极电容:3100pF

额定能量:1.78mJ

最低工作温度:-40 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IKW50N65ES5XKSA1
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