IKW40N65ES5XKSA1
/Infineon IKW40N65ES5XKSA1 N沟道 IGBT, 79 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
IKW40N65ES5XKSA1的规格信息
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):79A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,40A
功率 - 最大值:230W
开关能量:860µJ(开),400µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:95nC
25°C 时 Td(开/关)值:19ns/130ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):73ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:PG-TO247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3
最大连续集电极电流:79 A
最大集电极-发射极电压:650 V
最大栅极发射极电压:±20 V, ±30 (Transient) V
最大功率耗散:230 W
晶体管数:1
封装类型:TO-247
通道类型:N
引脚数目:3
开关速度:30kHz
晶体管配置:单
长度:16.13mm
宽度:5.21mm
高度:21.1mm
尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm
最高工作温度:+175 °C
栅极电容:2500pF
额定能量:1.26mJ
最低工作温度:-40 °C
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
IKW40N65ES5XKSA1
IKW40N65ES5XKSA1的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3 | $4.84000 |
 Mouser 贸泽电子 | IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization. | 1:¥32.8152 10:¥27.8884 100:¥24.2046 250:¥22.9729 500:¥20.5886
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