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IKW25N120T2 /IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
IKW25N120T2的规格信息
IKW25N120T2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.7 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

Pd-功率耗散:349 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:TRENCHSTOP IGBT

封装:Tube

高度:20.95 mm

长度:15.9 mm

宽度:5.3 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960

单位重量:38 g

供应商IKW25N120T2
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IKW25N120T2Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop® with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO376.33 Kbytes共15页IKW25N120T2的PDF下载地址无
IKW25N120T2IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO464.33 Kbytes共15页IKW25N120T2的PDF下载地址无
IKW25N120T2_13IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO464.33 Kbytes共15页IKW25N120T2_13的PDF下载地址无
IKW25N120T2FKSA1IGBT 1200V 50A 349W TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO460.99 Kbytes共15页IKW25N120T2FKSA1的PDF下载地址无
IKW25N120T2XKIGBT, 50A, 1200V, N-CHANNELInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO460.99 Kbytes共15页IKW25N120T2XK的PDF下载地址无
IKW25N120T2的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IKW25N120T2InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A1+:￥37.68
10+:￥33.96
25+:￥30.89
100+:￥27.99
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100+:￥25.12
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		IKW25N120T2Infineon Technologies Americas Inc.SP000244960_POWER 190W240 : $3.7158
960 : $3.468
2,160 : $3.2513
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IKW25N120T2InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A1+:￥37.68
10+:￥33.96
25+:￥30.89
100+:￥27.99
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500+:￥27.99
1000+:￥25.7
2500+:￥25.45
5000+:￥24.671+:￥40.01
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IKW25N120T2Infineon TechnologiesIKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A$3.05000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IKW25N120T2Infineon Technologies AGIGBT 1200V 50A 349W TO247-310 : $5.714
1 : $6.36
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IKW25N120T2XKInfineon TechnologiesIGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL$3.05000
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		IKW25N120T2Infineon Technologies AGIGBT+ DIODE,1200V,25A,TO24710 : $207.089996
100 : $170.279999
250 : $156.479996
500 : $142.669998
1,000 : $124.260002
2,500 : $119.660004
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IKW25N120T2InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A1+:￥37.68
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IKW25N120T2Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics		IKW25N120T2Infineon Technologies AGN/A500 : $3.95
1,000 : $3.75
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IKW25N120T2Infineon(英飞凌)栅极阈值电压-VGE(th)：6.4V @ 1mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.2V @ 15V,25A 集电极电流（Ic）（最大值）：50A 集射极击穿电压（最大值）：1200V 类型：沟槽型场截止1+:￥18.75
10+:￥16.29
30+:￥15.83
100+:￥15.38
500+:￥15.18
1000+:￥14.93
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