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IKW30N60H3 /IGBT 晶体管 600V 30A 187W
IKW30N60H3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:187 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:HighSpeed 3

封装:Tube

高度:20.7 mm

长度:15.87 mm

宽度:5.31 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKW30N60H3FKSA1 IKW3N6H3XK SP000703042

单位重量:6.500 g

供应商IKW30N60H3
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IKW30N60H3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
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18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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深圳市佳威星科技有限公司IKW30N60H3FKSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城IKW30N60H3深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IKW30N60H3深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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芯莱德电子(香港)有限公司IKW30N60H3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IKW30N60H3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IKW30N60H3FKSA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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18923762408 “13538131418”
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深圳市骏凯诚科技有限公司IKW30N60H3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市宇浩扬科技有限公司IKW30N60H3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IKW30N60H3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IKW30N60H3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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IKW30N60H3FKSA1IGBT 600V 60A 187W TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO2.14 Mbytes共16页IKW30N60H3FKSA1的PDF下载地址
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IKW30N60H3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
IKW30N60H3InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A 187W1+:¥31.57
10+:¥28.17
100+:¥23.1
250+:¥20.85
500+:¥18.7
1000+:¥15.77
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100+:¥18.3899
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100+:¥15
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Avnet Express
IKW30N60H3Infineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube240 : $2.444
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IKW30N60H3Infineon Technologies AGIGBT 600V 60A 187W TO247-310 : $3.404
1 : $3.79
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IKW30N60H3InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A 187W1+:¥31.57
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT 600V 60A 187W TO247-3$3.94000
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
IKW30N60H3Infineon Technologies AGIGBT+ DIODE,600V,20A,TO24710 : $137.059998
100 : $112.400002
250 : $101.43
500 : $91.010002
1,000 : $76.760002
2,500 : $72.919998
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IKW30N60H3InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A 187W1+:¥31.57
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Farnell element14
IKW30N60H3Infineon Technologies AGIGBT+ DIODE,600V,20A,TO247
RoHS : Compliant
250 : $2.52
500 : $2.05
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Mouser 贸泽电子
IKW30N60H3InfineonIGBT - 单路 TrenchStop® 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A 187W1+:¥31.57
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IKW30N60H3Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 600V 30A 187W1:¥32.9621
10:¥27.9675
100:¥24.2837
250:¥23.052
500:¥20.6677
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 600V 30A 187W1:¥32.9621
10:¥27.9675
100:¥24.2837
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Newark element14
IKW30N60H3Infineon Technologies AG*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** IGBT+ DIODE,600V,20A,TO247; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes100 : $2.6
250 : $2.35
500 : $2.12
1,000 : $1.78
2,500 : $1.69
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Rochester Electronics
IKW30N60H3Infineon Technologies AGN/A500 : $2.36
1,000 : $2.24
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立创商城
IKW30N60H3Infineon(英飞凌)栅极阈值电压-VGE(th):5.7V @ 430uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A 集电极电流(Ic)(最大值):60A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:沟槽型场截止1+:¥13.12
10+:¥9.9
30+:¥9.31
100+:¥8.72
500+:¥8.46
1000+:¥8.33