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HSP8N50 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):142W 类型:N沟道
HSP8N50的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻850mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)142W

类型N沟道

供应商HSP8N50
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HSP8N50连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):142W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO886.71 Kbytes共6页HSP8N50的PDF下载地址
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HSP8N50HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):142W 类型:N沟道1+:¥2.03
10+:¥1.48
30+:¥1.38
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