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HSP8N50 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 类型：N沟道

HSP8N50的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻850mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）142W

类型N沟道

HSP8N50

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深圳市芯泽盛世科技有限公司	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市泓建半导体有限公司	深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12	18617195508 18617195508	蔡永记	询价
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深圳市鼎芯联科技有限公司	福田区华强广场C座	0755-82794813 13410511380	蔡小姐	询价
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HSP8N50	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		886.71 Kbytes	共6页		无

HSP8N50的全球分销商及价格

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立创商城	HSP8N50	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 类型：N沟道	1+:￥2.03 10+:￥1.48 30+:￥1.38 100+:￥1.28 500+:￥1.24 1000+:￥1.21

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