HSP80P10
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W 类型:P沟道
HSP80P10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压3.0V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)210W
类型P沟道
HSP80P10
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HSP80P10 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 799.38 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSP80P10的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSP80P10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W 类型:P沟道 | 1+:¥4.05 10+:¥2.98 30+:¥2.78 100+:¥2.59 500+:¥2.5 1000+:¥2.45
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