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HSP6032A /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道

HSP6032A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）75A

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）89W

类型N沟道

HSP6032A

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HSP6032A	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		742.12 Kbytes	共5页		无

HSP6032A的全球分销商及价格

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立创商城	HSP6032A	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道	1+:￥2.64 10+:￥1.94 30+:￥1.81 100+:￥1.69 500+:￥1.63 1000+:￥1.6

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