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HSM4113 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道
HSM4113的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.5A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻40mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

类型P沟道

供应商HSM4113
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深圳市宇浩扬科技有限公司HSM4113深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市芯幂科技有限公司HSM4113深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城HSM4113深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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芯莱德电子(香港)有限公司HSM4113深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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HSM4113连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO785.20 Kbytes共5页HSM4113的PDF下载地址
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HSM4113HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥0.9663
10+:¥0.7114
30+:¥0.6646
100+:¥0.6178
500+:¥0.5969
1000+:¥0.5867