HSM4103
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.6A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
HSM4103的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.6A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型P沟道
HSM4103
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HSM4103 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.6A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.96 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM4103的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSM4103 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.6A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | 1+:¥1.0231 10+:¥0.7532 30+:¥0.7037 100+:¥0.6541 500+:¥0.6321 1000+:¥0.6212
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