HSM4006
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道
HSM4006的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型N沟道
HSM4006
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HSM4006 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 424.17 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM4006的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSM4006 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 | 1+:¥1.2694 10+:¥0.9346 30+:¥0.8731 100+:¥0.8115 500+:¥0.7842 1000+:¥0.7707
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