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HN4B04J(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN4B04J(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN，PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：300mW

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74A，SOT-753

供应商器件封装：SMV

其它名称：HN4B04J(TE85LF)TRHN4B04JTE85LF

供应商HN4B04J(TE85L,F)
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