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HN3C51F-BL(TE85L,F /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN3C51F-BL(TE85L,F的规格信息
HN3C51F-BL(TE85L,F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：120V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：350 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：300mW

频率 - 跃迁：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：SM6

其它名称：HN3C51F-BL (TE85L,FHN3C51F-BL(TE85L,F)HN3C51F-BL(TE85LF)TRHN3C51F-BL(TE85LF)TR-NDHN3C51F-BL(TE85LFTRHN3C51F-BLTE85LFHN3C51FBL(TE85LFTRHN3C51FBL(TE85LFTR-ND

供应商HN3C51F-BL(TE85L,F
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深圳市芯幂科技有限公司HN3C51F-BL(TE85L,F深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城HN3C51F-BL(TE85L,F深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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HN3C51F-BL(TE85L,FTRANS 2NPN 120V 0.1A SM6Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO339.60 Kbytes共4页HN3C51F-BL(TE85L,F的PDF下载地址无
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