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HN4B01JE(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN4B01JE(TE85L,F)的规格信息
HN4B01JE(TE85L,F)的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN，PNP（耦合发射器）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 10MA，100MA

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-553

供应商器件封装：ESV

其它名称：HN4B01JE (TE85L,F)HN4B01JE(TE85LF)TRHN4B01JETE85LF

供应商HN4B01JE(TE85L,F)
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18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司HN4B01JE(TE85L,F)深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司HN4B01JE(TE85L,F)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城HN4B01JE(TE85L,F)深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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HN4B01JE(TE85L,F)双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50VToshibaToshiba的LOGO339.98 Kbytes共6页HN4B01JE(TE85L,F)的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vceo=50V1+:￥3.2
10+:￥2.29
25+:￥1.79
100+:￥1.3499
250+:￥0.96
500+:￥0.76
1000+:￥0.594000+:￥0.41
8000+:￥0.36
24000+:￥0.36
48000+:￥0.3301
100000+:￥
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Digi-Key 得捷电子		HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vceo=50V1+:￥3.2
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Mouser 贸泽电子		HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V价格未公开
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Mouser 贸泽电子		HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vceo=50V1+:￥3.2
10+:￥2.29
25+:￥1.79
100+:￥1.3499
250+:￥0.96
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