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GT50J325 /TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
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晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

集电极直流电流:50A

饱和电压, Vce sat 最大:2.45V

功耗, Pd:240W

电压, Vceo:600V

工作温度范围:-55°C 到 +150°C

封装类??:TO-3P

针脚数:3

上升时间:70ns

下降时间典型值:50ns

功率, Pd:240W

功耗:240W

封装类型:TO-3P (LH)

晶体管极性:?频道

最大功耗:240W

最大连续电流, Ic:50A

热阻, 结至外壳 A:0.521°C/W

电压, Vces:600V

电流, Icm 脉冲:100A

结温, Tj 最高:150°C

表面安装器件:通孔安装

供应商GT50J325
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上海三崧电子有限公司GT50J325上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
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深圳市芯幂科技有限公司GT50J325深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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