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GT50J121(Q) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
GT50J121(Q)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:100

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A

功率 - 最大值:240W

开关能量:1.3mJ(开), 1.34mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:-

25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300ns

测试条件:300V,50A,13 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-3PL

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P(LH)

供应商GT50J121(Q)
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深圳市瑞浩芯科技有限公司GT50J121(Q)深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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5+:¥247.55
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