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GT50J102 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)
GT50J102的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

XPackage:3TO-3P(LH)

包装:3TO-3P(LH)

配置:Single

最大集电极发射极电压:600 V

最大连续集电极电流:50 A

最大栅极发射极电压:±20 V

安装:Through Hole

标准包装:Trays

供应商封装形式:TO-3P(LH)

最大栅极发射极电压:±20

最大连续集电极电流:50

欧盟RoHS指令:Not Compliant

最高工作温度:150

渠道类型:N

最大集电极发射极电压:600

最大功率耗散:200000

最低工作温度:-55

引脚数:3

晶体管类型::IGBT

DC Collector Current::50A

Collector Emitter Voltage Vces::2.7V

功耗::200W

Collector Emitter Voltage V(br)ceo::600V

Operating Temperature Min::-55°C

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::TO-3P

No. of Pins::3

MSL::-

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

Current Ic Continuous a Max::50A

Fall Time Typ::150ns

工作温度范围::-55°C to +150°C

Power Dissipation Max::200W

Pulsed Current Icm::100A

上升时间::120ns

端接类型::Through Hole

晶体管极性::N Channel

Voltage Vces::600V

Weight (kg):0.00975

Tariff No.:85412900

供应商GT50J102
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GT50J102N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO254.3 Kbytes共5页GT50J102的PDF下载地址GT10J312,MG15Q6ES50,MG25Q2YS40,MG50Q6ES50A,MIG20J103H,MG15Q6ES50A,MG25Q6ES42,MG400Q1US41
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