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GT30J341,Q /IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
GT30J341,Q的规格信息
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Series-

PackageTray

IGBT Type-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V

Current - Collector (Ic) (Max)59 A

Current - Collector Pulsed (Icm)120 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Power - Max230 W

Switching Energy800µJ (on), 600µJ (off)

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C80ns/280ns

Test Condition300V, 30A, 24Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)50 ns

Operating Temperature175°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3

Supplier Device PackageTO-3P(N)

供应商GT30J341,Q
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GT30J341,QIGBT 600 V 59 A 230 W 通孔 TO-3P(N)Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO295.63 Kbytes共10页GT30J341,Q的PDF下载地址
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