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GT30J324 /Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT30J324的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

集电极直流电流:30A

饱和电压, Vce sat 最大:2.45V

功耗, Pd:170W

电压, Vceo:600V

工作温度范围:-55°C 到 +150°C

封装类型:TO-3P

针脚数:3

上升时间:70ns

下降时间典型值:50ns

功率, Pd:170W

功耗:170W

封装类型:TO-3P (N)

晶体管极性:?频道

最大功耗:170W

最大连续电流, Ic:30A

热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W

电压, Vces:600V

电流, Icm 脉冲:60A

结温, Tj 最高:150°C

表面安装器件:通孔安装

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深圳市坤融电子有限公司GT30J324航都大厦10I0755-23990975
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GT30J324(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.IGBT - 单路 - 分立半导体产品50+:¥4
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GT30J324Toshiba America Electronic Components 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT557 : $4.725
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